专注碳化硅 (SiC) 外延片研发与生产15年
全球碳化硅外延片主要生产商
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COMPANY PROFILE

关于我们

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安博(中国)官方网站,安博(中国)官方网站成立于2009年,是我国最早实现第三代半导体碳化硅外延片产业化的企业,也是国内第一家获得汽车质量认证(IATF 16949)的碳化硅半导体材料企业。

经过十余年的技术积累沉淀,公司已发展成为全球碳化硅外延片的主要供应商,在产品技术参数和客户器件良率等方面已达国际领先水平,是我国碳化硅领域少数具备国际竞争力的企业之一。公司拥有国际最顶尖的碳化硅外延设备,凭借先进的外延工艺为客户提供N型、P型掺杂半导体材料,可制作650V~3300V、3300V~20000V单极和双极功率器件,主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS等,这些功率器件广泛应用于新能源汽车、光伏储能、轨道交通、智能电网、工业电源等领域。


公司宗旨:促进第三代(宽禁带)半导体产业的发展,成为全球碳化硅外延片的主要生产商之一,以先进的碳化硅外延生长技术为客户提供优良产品和服务。



DEVELOPMENT HISTORY

发展历程

2023
2023年,8英寸碳化硅外延片开始量产
2022
​2022年,集团厂区扩建
2021
2021年5月,天域获批“广东省博士后创新实践基地”和“广东省博士工作站”
2020
2020年12月,天域获得“广东省工程研究中心-第三代半导体SiC外延材料”。
2020
2020年3月,天域获得“广东省工程技术研究中心”认定。
2019
2019年11月,我司联合深圳第三代半导体研究院、东莞南方半导体共建“广东省第三代半导体技术创新中心”。同年,授牌“广东省第三代半导体SiC外延材料工程技术研究中心”
2018
2018年,天域6英寸碳化硅外延片开始量产
2018
2018年3月,天域半导体、第三代半导体产业技术创新战略联盟和南方科技大学等单位发起共建深圳第三代半导体研究院
2016
2016年11月,与松山湖控股集团、易事特、中镓半导体等企业成立“东莞南方半导体科技有限公司”
2016
2016年3月,天域成为国内第一家获得汽车质量管理体系( IATF 16949 : 2016 )认证的外延材料企业。
2014
2014年10月,天域顺利认定为国家级高新技术企业;
2014
2014年,4英寸SiC外延片产品开始量产
2010
2010年5月天域与中科院半导体所成立中科院半导体所天域碳化硅技术研究院
2009
2009年1月成立我国首家碳化硅外延企业,填补了国内产业链空白
PROFESSIONAL TEAM

专业团队

天域拥有一支高水平研发团队,团队成员分别来自于西安电子科技大学、北京大学,中国科学技术大学,香港大学等知名院校。


天域是SiC外延行业的引领者,制定行业相关国际标准1项、国家标准11项、团体标准12项、企业标准4项,累计承担或参与国家、省、市各级科技项目10项。


天域拥有SiC外延的全套核心技术,均为自主研发,作为保护,申请专利100多项。累计发表高水平论文27篇(SCI/EI收录论文16篇)。


天域坚持自主科技创新的发展理念,在4H-SiC外延材料产业化、器件结构材料生长技术、外延材料检测分析与标准化等方面开展了深入系统的研发工作,突破了

n、p型原位掺杂与控制技术、快速外延及厚膜生长技术、实现了4、6、8英寸4H-SiC外延晶片全系列产品的批量生产。


Ø 国内最早实现6英寸外延晶片量产

Ø 领先的20 kV级以上的厚外延生长

Ø 缓变结、陡变结等n/p型界面控制技术

Ø 多层连续外延生长技术

Ø 领先的外延材料缺陷密度和均匀性控制技术


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